利用LP-MOCVD分别生长Zn和S掺杂的In0.5(Ga1-xAlx)0 5P外延层,研究生长温度、掺杂源流量、V/Ⅲ比、Al组分以及衬底晶向偏离等生长......

利用LPMOCVD技术在InP衬底生长了InxGa1-xGa1-x材料,获得表面平整、光亮的In0.53Ga0.47As外延层.研究了生长温度对InxGa1-xAs外延......

用停滞边界层理论分析了低压MOCVD外延GaN的生长模型.通过优化反应室结构和工艺条件,成功生长了厚度均匀、晶体质量优良的GaN外延......